Радиостэп

+7 (495) 258 33 70
+7 (499) 270 09 58

г. Москва, ул.Нагатинская , дом 29, корпус 4
sales@radiostep.ru

Партнеры

ti ir

st nsc

cree mw

p-one eemb

sw peak

hit-aic tyco

vishay honey

vacon recom

bluegiga wanjia

vertesz samwha

bri winstar

khatod ledlink

smk eaton

Компактная мощность – новые MOSFET транзисторы в корпусе PQFN от IR

Компактная мощность – новые MOSFET транзисторы в корпусе PQFN от IR Компактная мощность – новые MOSFET транзисторы в корпусе PQFN от IR

Компания International Rectifier расширила свое семейство транзисторов StrongIRFET, обладающих самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала, новыми моделями в планарных корпусах PQFN 5x6 мм.

Благодаря новейшим методам корпусирования с применением разварки кристалла на выводы корпуса с помощью медной клипсы, обеспечивающей улучшенный отвод тепла от кристалла на корпус, а также имеющей минимальное омическое сопротивление, в новых транзисторах удалось добиться полного сопротивления канала, сравнимого с сопротивлением транзисторов StrongIRFET в корпусах D2-PAK, но при пятикратно меньшей площади, занимаемой корпусом – 30 мм? против 155 мм?.

В корпусе PQFN 5x6 мм выпускаются представители всех трех, существующих на данный момент, линеек семейства – на 40, 60 и 75 В. Транзисторы способны обеспечить реальный рабочий ток до 100 А (ограничено корпусом), а максимальная температура кристалла ограничена 150°С.

Высокая устойчивость ко внешним воздействиям, большие значения допустимого импульсного тока и невысокая цена делает эти транзисторы идеальным решением для мощных малогабаритных промышленных устройств и комплексов, в которых они могут использоваться для построения систем защиты АКБ, резервирования питания, управления двигателями постоянного тока и каскадов синхронного выпрямления в высокоэффективных источниках питания.

Электронные компоненты оптом. Доставка по Москве и в регионы.